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　　電鍍層在結(jié)晶過程中，當(dāng)有添加劑加入的情況下，會(huì)呈現(xiàn)出與通常情況下不同的生長(zhǎng)特點(diǎn)。通常情況下，鍍層的結(jié) 晶成長(zhǎng)速度與電流密度成正比，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，高電流區(qū)的鍍層會(huì)越來越厚。這樣即使在平板形的基體上，四周 邊角的鍍層也會(huì)比中間部位要厚，對(duì)高低不產(chǎn)的基體，這種鍍層會(huì)擴(kuò)大這種不平性，這就是所謂的同何整平作用。
　　在酸性光亮劑鍍銅中，像H/S/和CI這些添加物在陰極的高電流區(qū)起到阻擋鍍層結(jié)晶生長(zhǎng)的作用，使鍍層在低電流 區(qū)的沉積速度大于高電流區(qū)。以一種V形坑為例，在添加劑的作用下，坑內(nèi)和坑底的鍍層的生長(zhǎng)的速度會(huì)大于坑邊和 坑外的鍍層，一定時(shí)間后這個(gè)坑會(huì)由于坑內(nèi)鍍層的生長(zhǎng)而被填平，這就是正整平作用,添加劑除了有這種正整平作用 外，還使結(jié)晶過程中晶核的產(chǎn)生速度大于其長(zhǎng)大成長(zhǎng)的過程，這會(huì)使鍍層的結(jié)晶變得細(xì)小，從而達(dá)成對(duì)光全反射的 程度。因此，在酸性光亮鍍銅中可以得到光亮整平的鍍層，其它光亮劑的作用機(jī)理大致也是這樣的